设备名称:全自动晶圆量测机<br> 设备型号:Hawkeye-IR300/330适用产品:2.5D/3D封装Wafer<br> 产品尺寸:12”<br> 产品厚度:≥300um<br> 产品翘曲度:≤5mm<br> 测量方式:红外显微镜/光谱共焦/NCG非接触测量<br> 功能:Chipping & Inner Crack扫描/Chip First Die Shfit量测/Chip OnWafer Die Shift量测/站立区高度SOH量测/Under Fil爬胶高度宽度量测/die TTV/Wafer Warpage量测(选配)<br> 过滤系统:Class 100

1.设备尺寸(mm:400X620X780<br> 2.华夫盒尺寸:2/3/4寸<br> 3.检查内容:IC反向/站立/空穴/跳晶/ink/脏污/泰维克纸有无/IC/断裂/IC脏污等<br> 4.相机规格:6500W彩色相机<br> FOV: 110*110mm<br> 像素精度:13um/PIX<br> 景深:+lmm<br> 5.速度:单盘tray检测时间<1.5s<br> 6.应用:用于华夫盒(COGTray)出货前检查<br>

1.设备尺寸(mm:2450x1250x2000)<br> 2.产品尺寸:8/12寸Bare Wafer<br> 3.检查原理:采用白光干涉成像成像技术，对待检查点特征进行三维形貌成像。<br> 4.检查内容:形貌长宽高/表面粗糙度测量<br> 5.干涉物镜:10x/20x/50x<br> 6.台阶量测精准度:<20nm+1%target value/重复性3o:<1%(台阶标准块量测)<br> 7.速度:10s/点(与特征高度相关)<br> 8.拓展选配:自动膜厚测量模块<br> 9.应用:wafer线路/凸块/孔洞等特征3d形貌量测<br>

1.设备尺寸(mm:2265x1755x2000<br> 2.产品尺寸:8/12寸Bare Wafer/FrameWafer<br> 3.检查原理:对产品正背面多角度打光，分别明暗场扫描成像<br> 4.检查内容:对产品正面/背面/边缘进行污染/刮伤/边缘缺角等异常检查<br> 5.相机规格:彩色线扫，视野≥320mm/解析度:25um/12.5um选配<br> 6.宏观检出大小:100um or50um选配<br> 7.UPH:120片/h<br> 8.拓展选配:微观自动采集模块，10x/20x/50x，微观2DAOI扫描模块:2x/5x/10x<br> 9.应用:wafer外观宏观检查<br>